氮化硅基板


氮化硅陶瓷基板具备高强度、高导热、耐高温、高耐磨性、抗氧化、热膨胀系数低和抗热震等性能,同时具有较好的气密性,可隔离水汽、氧气和灰尘等特点,成为大功率半导体器件基板的最佳材料,被广泛应用到功率集成电路中。

所属分类:


电话

咨询热线:


产品优势

• 氮化硅基板与氮化铝和氧化铝基板相比具有两倍以上的抗弯强度

• 与氧化铝和ZTA基板相比具有三倍以上的热导率

• 具有高的绝缘性和与SI相匹配的热膨胀系数

• 优异的抗热震性能和高强度

 

性能参数

氮化硅Si3N4基板材料特性

外观

-

-

深灰色致密

表面粗糙度

Ra

μm

<0.6

表观密度

排水法

g/cm3

≥3.2

光反射率

400nm/1mm

%

-

机械性能

抗弯强度

三点抗弯

MPa

>700

断裂韧性

压痕法

MPa﹡m1/2

6.5-7

维氏硬度

裁荷4.9 N

GPa

15.0

杨氏模量

拉伸法

GPa

310.0

热性能

热照胀系数

25 ~ 800℃

×10-6/ k

2.5-3.1

热导率

25℃

W/(m・k)

>80

抗热震性

800℃

≥10次

无裂纹

比热

25℃

J/(kg∙k)

680

电性能

介电常数

1 MHz, 25℃

-

7.8

介电损耗

1 MHz. 25℃

×10-4

≤4

体枳电阻

25℃

Ω∙ cm

>1014

击穿电压(Diclcctnc Voltage)

DC

KV/mm

>15

 

氮化硅Si3N4基板规格尺寸

厚度规格(mm)

尺寸(mm)

0.32

——

0.5

         

——


关键词:

氮化硅基板


上一页

下一页

上一页

下一页

最新产品

在线留言