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氮化硅基板
氮化硅陶瓷基板具备高强度、高导热、耐高温、高耐磨性、抗氧化、热膨胀系数低和抗热震等性能，同时具有较好的气密性，可隔离水汽、氧气和灰尘等特点，成为大功率半导体器件基板的最佳材料，被广泛应用到功率集成电路中。
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产品优势
• 氮化硅基板与氮化铝和氧化铝基板相比具有两倍以上的抗弯强度
• 与氧化铝和ZTA基板相比具有三倍以上的热导率
• 具有高的绝缘性和与SI相匹配的热膨胀系数
• 优异的抗热震性能和高强度
性能参数
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氮化硅Si3N4基板材料特性 |
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|
外观 |
- |
- |
深灰色致密 |
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表面粗糙度 |
Ra |
μm |
<0.6 |
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表观密度 |
排水法 |
g/cm3 |
≥3.2 |
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光反射率 |
400nm/1mm |
% |
- |
|
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机械性能 |
抗弯强度 |
三点抗弯 |
MPa |
>700 |
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断裂韧性 |
压痕法 |
MPa﹡m1/2 |
6.5-7 |
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维氏硬度 |
裁荷4.9 N |
GPa |
15.0 |
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|
杨氏模量 |
拉伸法 |
GPa |
310.0 |
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热性能 |
热照胀系数 |
25 ~ 800℃ |
×10-6/ k |
2.5-3.1 |
|
热导率 |
25℃ |
W/(m・k) |
>80 |
|
|
抗热震性 |
800℃ |
≥10次 |
无裂纹 |
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|
比热 |
25℃ |
J/（kg∙k） |
680 |
|
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电性能 |
介电常数 |
1 MHz, 25℃ |
- |
7.8 |
|
介电损耗 |
1 MHz. 25℃ |
×10-4 |
≤4 |
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|
体枳电阻 |
25℃ |
Ω∙ cm |
＞1014 |
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击穿电压(Diclcctnc Voltage) |
DC |
KV/mm |
＞15 |
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|
氮化硅Si3N4基板规格尺寸 |
|||||||
|
厚度规格（mm） |
尺寸（mm） |
||||||
|
0.32 |
√ |
√ |
√ |
√ |
√ |
√ |
—— |
|
0.5 |
√ |
—— |
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关键词：
氮化硅基板
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