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金属化陶瓷在电子封装中的热膨胀系数匹配原理
电子封装材料的热力学适配性直接影响器件可靠性。根据GB/T 5594.3-2017《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》,金属化陶瓷与相邻材料的线膨胀系数差值应控制在1.5×10⁻⁶/℃以内。氧化铝陶瓷(6.5-8.5×10⁻⁶/℃)通常采用钼锰法金属化,通过调节玻璃相含量使过渡层膨胀系数梯度变化,实现与可伐合金(4.5-5.5×10⁻⁶/℃)的应力缓冲。 氮化铝陶瓷(4.5-5.5×10⁻⁶/℃)直接覆铜工艺中,活性金属钎料层的厚度需控制在50-100μm范围,过厚会导致热循环过程中产生剪切应力。多层陶瓷基板设计时,各层材料膨胀系数的代数差需满足Δα×ΔT×L<0.1%关系式(L为特征尺寸),避免温度变化导致的层间剥离。 在功率模块封装中,碳化硅陶瓷(4.0-4.5×10⁻⁶/℃)与铜的接合界面常采用钨铜梯度材料过渡,其膨胀系数从8.5×10⁻⁶/℃逐步过渡到16.5×10
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金属化陶瓷的导电性与导热性如何提升?
金属化陶瓷通过将金属的导电、导热特性与陶瓷的耐高温、耐腐蚀优势结合,成为高端工业领域的重要材料。然而,其性能受限于金属与陶瓷的界面结合、微观结构均匀性等因素。如何进一步提升其导电性与导热性,需从材料设计、工艺优化及结构创新三方面协同突破。 在材料设计层面,金属相的分布与陶瓷基体的匹配度直接影响性能。通过调控金属含量与颗粒尺寸,可形成连续或半连续的导电导热网络。例如,采用铜、银等高导电金属作为填充相,或在陶瓷中引入纳米级金属涂层,能有效降低界面电阻与热阻。此外,选择热膨胀系数与陶瓷接近的金属(如钨、钼),可减少高温下因膨胀差异导致的微裂纹,从而维持导电导热通路的稳定性。 工艺优化是提升性能的关键环节。传统烧结工艺易导致金属相团聚或分布不均,而先进的共烧技术或分层烧结工艺可改善这一问题。例如,在低温阶段先固化金属相,再高温烧结陶瓷基体,能减少金属氧化与挥发,同时抑制晶粒异常生长。对于多
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探索电子工程陶瓷在新能源领域的创新应用
探索电子工程陶瓷在新能源领域的创新应用引言在当今这个快速发展的科技时代,新能源的需求愈发迫切,如何效率高利用可再生资源成为了各国科研人员的焦点。在这个背景下,电子工程陶瓷作为一种新型材料,凭借其优良的电气性能和热稳定性,逐渐成为新能源领域的重要组成部分。那么,电子工程陶瓷究竟是如何在新能源领域大展拳脚的呢?让我们一起来探索这个神秘的材料和它的创新应用。电子工程陶瓷的特点首先,我们得了解一下什么是电子工程陶瓷。简单来说,它是一种以陶瓷为基础的材料,广泛应用于电子和电气工程领域。它通常具有优异的绝缘性能、耐高温、耐腐蚀等特点,这些特性使得电子工程陶瓷在新能源的使用中,显得尤为重要。想象一下,假如没有这种材料,我们的太阳能电池或风力发电机可能就无法正常运作,甚至会因材料不耐高温而导致设备损坏。电子工程陶瓷在太阳能电池中的应用太阳能电池是新能源的一项重要技术。而电子工程陶瓷在太阳能电池中的应用,主
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提升电力电子产品性能的陶瓷解决方案
在现代电子工程中,电力电子产品的性能至关重要。无论是在电动汽车、可再生能源还是消费电子产品中,提升这些设备的效率和稳定性都是工程师们面临的重要挑战。而陶瓷材料,尤其是电子工程陶瓷,正成为解决这一难题的关键。 为什么选择电子工程陶瓷? 想象一下,电子工程陶瓷像是电力电子产品的“超级食物”。它们不仅轻巧,而且具备出色的热导性和电绝缘性。这意味着在高温和高电压的环境下,这些陶瓷材料能有效防止热量的积聚,从而提高产品的整体性能。你怎么能不爱它们呢? 性能优势 首先,电子工程陶瓷具有优良的热稳定性。与传统材料相比,它们在高温下表现得更加稳定,减少了因过热而导致的故障风险。这一点,对于电力电子设备来说,简直是一剂强心针。 其次,电子工程陶瓷的电绝缘性能有效。高电压情况下,电流不会轻易泄漏,这为设备的运行提供了保障。像是为电力电子产品穿上了一层保护罩,让它们在高强度的工作中也能保持“冷静”
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新型电子工程陶瓷的研发趋势
新型电子工程陶瓷的研发趋势在当今这个科技飞速发展的时代,电子工程陶瓷的研发趋势正在经历着翻天覆地的变化。你可能会想,电子工程陶瓷到底是什么?它们在我们日常生活中又扮演着怎样的角色呢?实际上,电子工程陶瓷不仅仅是一些不起眼的小部件,它们在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。我们来聊聊这一领域的新兴趋势和未来的发展方向。电子工程陶瓷的基础首先,先了解一下电子工程陶瓷的基本概念。简单来说,电子工程陶瓷是指具备良好的电气、热学和机械性能的陶瓷材料。在电子设备中,它们被广泛应用于电容器、绝缘体和传感器等组件。想象一下,没了这些小部件,我们的手机、电脑和各种智能设备该多么不方便啊!研发趋势一:高性能材料的探索在电子工程陶瓷的研发中,材料的性能至关重要。想象一下,如果你的手机电池能量密度提高了50%,那可真是太酷了吧?为了实现这一目标,研究人员正致力于开发新型高性能陶瓷材料。例如,掺锗的钛酸钡陶瓷在这方
半导体封装中,电子工程陶瓷如何实现芯片级散热与机械支撑?
半导体封装的核心挑战之一,在于如何解决高集成度芯片产生的热堆积问题,同时确保微小结构下的机械稳定性。电子工程陶瓷凭借其独特的物理与化学特性,成为芯片级散热与机械支撑的理想材料。其作用机制可从材料特性与工程应用两个维度解析。 散热性能的本质源于材料特性与结构设计 电子工程陶瓷的高热导率是解决芯片散热的基础。例如,氮化铝(AlN)的热导率可达170-200 W/(m·K),接近铍材但无毒性,而氧化铝(Al₂O₃)则以成本优势适应中低端需求。材料选型需与芯片功耗匹配:低功率场景可选氧化铝,高功率场景则依赖氮化铝或碳化硅(SiC)。除基材选择外,陶瓷的微观结构设计同样关键。通过调整晶粒尺寸、孔隙率及复合相分布,可进一步优化热传导路径。例如,多层陶瓷基板(MLCC)采用低温共烧技术,在保证介电强度的同时形成连续导热网络。 机械支撑依赖热膨胀匹配与界面调控 芯片与封装材料间的热膨胀系数(C
<span style="color: rgb(27, 28, 33); font-family: "PingFang SC", "PingFang SC-Regular"; font-size: 15px; letter-spacing: 0.5px; white-space: pre-wrap;">如何提升电子工程陶瓷的导热性能?</span>
电子工程陶瓷因其高绝缘性、耐腐蚀性和耐高温特性,广泛应用于功率器件、5G通信、航空航天等领域。然而,随着电子设备向高功率、小型化发展,其导热性能成为制约散热效率的关键瓶颈。提升电子工程陶瓷的导热性能,需从材料改性、工艺优化及结构设计三方面协同突破。 材料改性:优化本征导热能力 电子工程陶瓷的导热性能与材料晶体结构、相组成密切相关。通过引入高导热相(如碳化硅、氮化硼等)形成复合材料,可构建连续热传导通路,降低晶界阻力。例如,在氧化铝基体中添加少量片状氮化硼,能显著提升层间热扩散效率。此外,调控烧结过程中的相变行为,减少低导热玻璃相生成,也能改善整体热导率。值得注意的是,材料纯度与粒径分布直接影响声子散射程度,纳米级原料与高温合成技术结合,可进一步遏制晶格缺陷带来的热阻。 工艺优化:减少微观结构缺陷 烧结工艺是决定电子工程陶瓷致密度与孔隙率的核心环节。采用热压烧结、反应烧结等技术,
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如何选择适合的电子工程陶瓷材料?
如何选择适合的电子工程陶瓷材料?在电子工程领域,陶瓷材料可以说是一个不可或缺的组成部分。无论是在制造电容器、绝缘体还是其他电子组件时,电子工程陶瓷的选择直接影响到设备的性能和可靠性。但面对市场上五花八门的陶瓷材料,如何选择适合的呢?今天就来聊聊这个话题。了解电子工程陶瓷的种类首先,了解电子工程陶瓷的种类是选择适合材料的重要一步。一般来说,电子工程陶瓷主要可以分为以下几种:1. **压电陶瓷**:这种陶瓷能够将机械能转化为电能,反之亦然,适用于传感器和扬声器等应用。2. **绝缘陶瓷**:它们具有优异的绝缘性能,常用于高电压应用和绝缘材料的制造。3. **介质陶瓷**:这种陶瓷主要用于制造电容器和谐振器,能够有效地存储和耗散电能。4. **导电陶瓷**:虽然大多数陶瓷是绝缘的,但导电陶瓷则是个例外,能够在特定条件下导电,适用于电热元件等。那么,选择哪种陶瓷材料呢?这就需要考虑具体的应用需求。
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